ஆவியாதல் பூச்சு மற்றும் ஸ்பட்டரிங் பூச்சு ஆகியவற்றுக்கு இடையே உள்ள வேறுபாடுகள்

நாம் அனைவரும் அறிந்தபடி, வெற்றிட பூச்சுகளில் பொதுவாக பயன்படுத்தப்படும் முறைகள் வெற்றிட டிரான்ஸ்பிரேஷன் மற்றும் அயன் ஸ்பட்டரிங் ஆகும்.டிரான்ஸ்பிரேஷன் பூச்சுக்கும் ஸ்பட்டரிங் பூச்சுக்கும் என்ன வித்தியாசம்மக்கள் போன்ற கேள்விகள் உள்ளன.டிரான்ஸ்பிரேஷன் கோட்டிங் மற்றும் ஸ்பட்டரிங் கோட்டிங் இடையே உள்ள வித்தியாசத்தை உங்களுடன் பகிர்ந்து கொள்வோம்

வெற்றிட டிரான்ஸ்பிரேஷன் ஃபிலிம் என்பது 10-2Pa க்குக் குறையாத வெற்றிட அளவு கொண்ட சூழலில் எதிர்ப்பு வெப்பமாக்கல் அல்லது எலக்ட்ரான் கற்றை மற்றும் லேசர் ஷெல்லிங் மூலம் நிலையான வெப்பநிலைக்கு தரவுகளை வெப்பமாக்குவதாகும், இதனால் மூலக்கூறுகளின் வெப்ப அதிர்வு ஆற்றல் அல்லது தரவுகளில் உள்ள அணுக்கள் மேற்பரப்பின் பிணைப்பு ஆற்றலை மீறுகின்றன, இதனால் பல மூலக்கூறுகள் அல்லது அணுக்கள் பரவுகின்றன அல்லது அதிகரிக்கின்றன, மேலும் அவற்றை நேரடியாக அடி மூலக்கூறில் வைப்பதன் மூலம் ஒரு திரைப்படத்தை உருவாக்குகின்றன.மின்புலத்தின் விளைவின் கீழ் வாயு வெளியேற்றத்தால் உருவாகும் நேர்மறை அயனிகளின் உயர் மறுபரிசீலனை இயக்கத்தை அயன் ஸ்பட்டரிங் பூச்சு பயன்படுத்துகிறது. தேவையான படம்.

வெற்றிட டிரான்ஸ்பிரேஷன் பூச்சு மிகவும் பொதுவாக பயன்படுத்தப்படும் முறை எதிர்ப்பு வெப்பமாக்கல் முறையாகும்.அதன் நன்மைகள் வெப்ப மூலத்தின் எளிய அமைப்பு, குறைந்த செலவு மற்றும் வசதியான செயல்பாடு.அதன் குறைபாடுகள் என்னவென்றால், இது பயனற்ற உலோகங்கள் மற்றும் உயர் வெப்பநிலை எதிர்ப்பு ஊடகங்களுக்கு ஏற்றது அல்ல.எலக்ட்ரான் கற்றை வெப்பமாக்கல் மற்றும் லேசர் வெப்பமாக்கல் எதிர்ப்பு வெப்பமாக்கலின் தீமைகளை சமாளிக்க முடியும்.எலக்ட்ரான் கற்றை வெப்பமாக்கலில், ஷெல் செய்யப்பட்ட தரவை நேரடியாக வெப்பப்படுத்த கவனம் செலுத்தப்பட்ட எலக்ட்ரான் கற்றை பயன்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் எலக்ட்ரான் கற்றையின் இயக்க ஆற்றல் தரவு பரிமாற்றத்தை செய்ய வெப்ப ஆற்றலாக மாறும்.லேசர் வெப்பமாக்கல் அதிக ஆற்றல் கொண்ட லேசரை வெப்பமூட்டும் ஆதாரமாகப் பயன்படுத்துகிறது, ஆனால் உயர்-சக்தி லேசரின் அதிக விலை காரணமாக, இது ஒரு சிறிய எண்ணிக்கையிலான ஆராய்ச்சி ஆய்வகங்களில் மட்டுமே பயன்படுத்தப்படும்.

ஸ்பட்டரிங் திறன் என்பது வெற்றிட டிரான்ஸ்பிரேஷன் திறனிலிருந்து வேறுபட்டது.ஸ்பட்டரிங் என்பது, சார்ஜ் செய்யப்பட்ட துகள்கள் உடலின் மேற்பரப்பில் (இலக்கு) மீண்டும் குண்டு வீசும் நிகழ்வைக் குறிக்கிறது, இதனால் திடமான அணுக்கள் அல்லது மூலக்கூறுகள் மேற்பரப்பில் இருந்து உமிழப்படுகின்றன.உமிழப்படும் பெரும்பாலான துகள்கள் அணுக்கள், இது பெரும்பாலும் sputtered அணுக்கள் என்று அழைக்கப்படுகிறது.எலெக்ட்ரான்கள், அயனிகள் அல்லது நடுநிலைத் துகள்களாக ஷெல்லிங் இலக்குகளுக்குப் பயன்படுத்தப்படும் துகள்கள்.அயனிகள் மின்சார புலத்தின் கீழ் தேவையான இயக்க ஆற்றலைப் பெறுவது எளிது என்பதால், அயனிகள் பெரும்பாலும் ஷெல்லிங் துகள்களாகத் தேர்ந்தெடுக்கப்படுகின்றன.

ஸ்பட்டரிங் செயல்முறை பளபளப்பான வெளியேற்றத்தை அடிப்படையாகக் கொண்டது, அதாவது, ஸ்பட்டரிங் அயனிகள் வாயு வெளியேற்றத்திலிருந்து வருகின்றன.வெவ்வேறு ஸ்பட்டரிங் திறன்கள் வெவ்வேறு பளபளப்பான வெளியேற்ற முறைகளைக் கொண்டுள்ளன.DC டையோடு sputtering DC க்ளோ டிஸ்சார்ஜ் பயன்படுத்துகிறது;ட்ரையோட் ஸ்பட்டரிங் என்பது சூடான கேத்தோடால் ஆதரிக்கப்படும் ஒரு பளபளப்பான வெளியேற்றமாகும்;RF sputtering RF பளபளப்பு வெளியேற்றத்தை பயன்படுத்துகிறது;Magnetron sputtering என்பது வளைய காந்தப்புலத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படும் பளபளப்பான வெளியேற்றமாகும்.

வெற்றிட டிரான்ஸ்பிரேஷன் பூச்சுடன் ஒப்பிடும்போது, ​​​​ஸ்பட்டரிங் பூச்சு பல நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளது.எந்தப் பொருளையும், குறிப்பாக அதிக உருகுநிலை மற்றும் குறைந்த நீராவி அழுத்தம் கொண்ட தனிமங்கள் மற்றும் சேர்மங்கள் தெளிக்கப்படுமானால்;sputtered படம் மற்றும் அடி மூலக்கூறு இடையே ஒட்டுதல் நல்லது;அதிக பட அடர்த்தி;ஃபிலிம் தடிமன் கட்டுப்படுத்தப்படலாம் மற்றும் மீண்டும் மீண்டும் நன்றாக இருக்கும்.குறைபாடு என்னவென்றால், உபகரணங்கள் சிக்கலானது மற்றும் உயர் மின்னழுத்த சாதனங்கள் தேவை.

கூடுதலாக, டிரான்ஸ்பிரேஷன் முறை மற்றும் ஸ்பட்டரிங் முறை ஆகியவற்றின் கலவையானது அயன் முலாம் ஆகும்.இந்த முறையின் நன்மைகள் படத்திற்கும் அடி மூலக்கூறுக்கும் இடையே வலுவான ஒட்டுதல், அதிக படிவு விகிதம் மற்றும் படத்தின் அதிக அடர்த்தி.