வெற்றிட பூச்சு கொள்கை

வெற்றிட பூச்சு என்பது ஆவியாதல் மூலத்தை வெற்றிடத்தில் சூடாக்கி ஆவியாக்குவது அல்லது துரிதப்படுத்தப்பட்ட அயனி குண்டுவீச்சுடன் ஸ்பட்டரிங் செய்வதை குறிக்கிறது, மேலும் அதை அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் வைப்பதன் மூலம் ஒற்றை அடுக்கு அல்லது பல அடுக்கு படத்தை உருவாக்குகிறது.வெற்றிட பூச்சு கொள்கை என்ன?அடுத்து, RSM இன் ஆசிரியர் அதை நமக்கு அறிமுகப்படுத்துவார்.

　　1. வெற்றிட ஆவியாதல் பூச்சு

ஆவியாதல் பூச்சுக்கு நீராவி மூலக்கூறுகள் அல்லது அணுக்களுக்கு இடையே உள்ள தூரம், பூச்சு அறையில் உள்ள எஞ்சிய வாயு மூலக்கூறுகளின் சராசரி இலவச பாதையை விட குறைவாக இருக்க வேண்டும். ஆவியாதல் மோதலின்றி அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பை அடையலாம்.படம் தூய்மையானது மற்றும் உறுதியானது என்பதை உறுதிப்படுத்தவும், மேலும் ஆவியாதல் ஆக்ஸிஜனேற்றப்படாது.

　　2. வெற்றிட ஸ்பட்டரிங் பூச்சு

வெற்றிடத்தில், துரிதப்படுத்தப்பட்ட அயனிகள் திடப்பொருளுடன் மோதும்போது, ​​ஒருபுறம், படிகம் சேதமடைகிறது, மறுபுறம், அவை படிகத்தை உருவாக்கும் அணுக்களுடன் மோதுகின்றன, இறுதியாக திடப்பொருளின் மேற்பரப்பில் உள்ள அணுக்கள் அல்லது மூலக்கூறுகள் வெளியே தெறிக்க.ஒரு மெல்லிய படலத்தை உருவாக்குவதற்கு அடி மூலக்கூறில் ஸ்பட்டர் செய்யப்பட்ட பொருள் பூசப்படுகிறது, இது வெற்றிட ஸ்பட்டர் முலாம் என்று அழைக்கப்படுகிறது.பல ஸ்பட்டரிங் முறைகள் உள்ளன, அவற்றில் டையோடு ஸ்பட்டரிங் ஆரம்பமானது.வெவ்வேறு கேத்தோடு இலக்குகளின்படி, இது நேரடி மின்னோட்டம் (DC) மற்றும் உயர் அதிர்வெண் (RF) என பிரிக்கலாம்.இலக்கு மேற்பரப்பை ஒரு அயனியுடன் தாக்குவதன் மூலம் சிதறிய அணுக்களின் எண்ணிக்கை ஸ்பட்டரிங் வீதம் எனப்படும்.அதிக sputtering விகிதம், படம் உருவாக்கம் வேகம் வேகமாக உள்ளது.ஸ்பட்டரிங் வீதம் ஆற்றல் மற்றும் அயனிகளின் வகை மற்றும் இலக்கு பொருளின் வகை ஆகியவற்றுடன் தொடர்புடையது.பொதுவாக, மனித அயனி ஆற்றலின் அதிகரிப்புடன் ஸ்பட்டரிங் வீதம் அதிகரிக்கிறது, மேலும் விலைமதிப்பற்ற உலோகங்களின் ஸ்பட்டரிங் வீதம் அதிகமாக உள்ளது.